Naprzód „Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

 

Podziel się artykułem na społecznościowych i innych portalach.

Chcesz podzielić się tym artykułem z innymi? Klikając na ikony poniżej, można udostępnić w sieci.

    ikona Facebook ikona Twitter ikona Linkuj ikona Jagg ikona MediaBlog ikona TopLinki ikona Bookmarky ikona TopArtykuly ikona VybraliSme ikona Delicious ikona Digg ikona Technorati ikona LinkedIn ikona Google

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

Jan Güttler | Komentarzy: 0 |

Toshiba opublikowało stosunkowo mało informacji na temat nowej technologii, która znakomicie powiększa pojemność obecnych pamięci flash. Technologia znana jest jako „Double Tunnel Layer Technology“ można to przetłumaczyć jako „technologia podwójnego warst

Toshiba opublikowało stosunkowo mało informacji na temat nowej technologii, która znakomicie powiększa pojemność obecnych pamięci flash. Technologia znana jest jako „Double Tunnel Layer Technology“ można to przetłumaczyć jako „technologia podwójnego warstwowego tunelu“.

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

W czym tkwi tajemnica? Proces produkcji łączy warstwę kwarcowych nanokryształów, które pomagają zapisywać dane do pamięci, pomiędzy parą tlenkowych tuneli, w wyniku czego (nie tylko) następuje bardziej efektywne działanie biegu elektrycznego prądu do wnętrza i z zewnątrz krzemienia, tunele maja grubość tylko 1nm. Efektem jest jeszcze bardziej zminiaturyzowany proces produkcji (10nm), który pozwala na zapisanie większej ilości danych na identycznej powierzchni.

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

W kombinacji z lepszym elektrycznym biegiem umożliwia „metoda tunelowa“ powstanie do 100Gb (12,5GB) jednowarstwowych pamięci flash. To istotnie ważne odkrycie jest już w szybkiej fazie rozwoju, mówi Toshiba. Niemniej jednak musimy pochwalić Toshibę za wysiłek, który włożyła w rozwój tej technologii. Obecnie pamięć flash NAND, normalnie używamy np. w iPodach czy Solid State Drives, są zbudowane na 16Gbit procesie. Producenci polegali „złożeniach“ z więcej chipów, czym powstają zespoły o wyższej pojemności. W przypadku nowego postępu Toshiby oznacza to powrót do pozostałych wzrostów pojemności w tych pamięciach flash.

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

„Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash

drukuj

Dyskusja w artykule


Ocena:

głosów: 0

Uwaga: im większa liczba, tym lepsza ocena

Dyskusje

Dyskusja do artykułu „Metoda tunelowa“ lub rozwój nowych pamięci flash


liczba postów: 0

 

więcej

mniej

mniej marek

Twój głos został dodany.

Usuń możliwość

Model

wybierz

Musisz wybrać przynajmiej dwa produkty, żeby porównać.